Discussione:Polverizzazione catodica

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L'articolo è molto interessante, ma ancora un po' troppo ermetico ai non specializzati nel settore: si potrebbe coordinare il capitolo "Il processo di sputtering" con l'analogo capitolo nell'articolo sul SIMS. --Fede (msg) 14:08, 19 nov 2005 (CET)

Non sono molto pratico, cosa intendi dire col termine "coordinare"? Ho letto il riferimento su SIMS, e per certi aspetti completa qunato scritto. Si potrebbe forse integrare la voce sputtering con quei contenuti, quindi rimuoverli dalla voce SIMS e fare il link direttamente su sputtering. E' una cosa ammissibile?Erikzahn 10:36, 21 nov 2005 (CET)

Era proprio quello che avevo in mente: l'ideale sarebbe spostare la descrizione del processo di sputtering dall'articolo sul SIMS a questo articolo, lasciando su quello solo una sintesi e un rimando all'articolo dedicato. Per farlo si puo usare il template {{vedi anche}}, che fa apparire questo messaggio:

Già che ci sono... Mi è venuto un dubbio: nell'articolo si dice che sputtering si può tradurre come "polverizzazione catodica". Ma ora che ormai si usano anche ioni negativi, sputtering si traduce come polverizzazione catodica/anodica a seconda della carica degli ioni usati, giusto? (Io non lo so: ho sempre sentito parlare di processo di sputtering = processo di erosione) --Fede (msg) 13:28, 20 nov 2005 (CET)

domani mi metterò a lavorarci sopra, vedo quello che riesco a fare. Circa la denominazione: personalmente non ho mai affrontato uno sputtering con ioni negativi, ma presumo a questo punto che la traduzione "polverizzazione catodica" sia un traduzione scorretta. Forse si potrebbe parlare direttamente di "polverizzazione ionica", ma forse conviene tenere il vecchio nome, anche se non rappresenta più il caso più generale. Non sono un filologo, però, e non so prendere una decisione in merito. Erikzahn 10:37, 21 nov 2005 (CET)

Io ho studiato più che altro il SIMS. So che per lo sputtering tradizionalmente si usavano ioni di gas nobili (quindi positivi - Ar+, Ne+), ma ultimamente - soprattutto per il SIMS, credo meno per i processi industriali di etching - vanno di moda le sorgenti "duoplasmatron" a ioni ossigeno positivi o negativi (a seconda di quale specie è più utile nel processo) e le sorgenti Ga+ e Cs+ (molto promettenti per il futuro). A quanto ho capito non esiste una traduzione "ufficiale" di sputtering: il prof. Anderle dell'ITC-IRST di Trento, uno tra i maggiori esperti di SIMS in Italia, usa il termine inglese tout-court o la perifrasi "processo di erosione" (che personalmente a me piace abbastanza ;) Purtroppo la traduzione letterale di sputtering è un po' schifosa ("sputacchiamento"...) Cmq buon lavoro! --Fede (msg) 00:05, 21 nov 2005 (CET) PS. Non dimenticare di firmare gli interventi nelle pagine di discussione (vd. Aiuto:Firma)

ah, ho capito cosa intendi. Le sorgenti di tipo duoplasmatron sono sorgenti ioniche di tipo ion gun, e il modo con cui influenzano le superfici rientra nella categoria di "trattamenti in raggio ionico", che è differente dalle applicazioni di sputtering cui io pensavo mentre scrivevo questo articolo.

• Nel sims gli ioni vengono generati nel cannone ionico e quindi focalizzati e accelerati verso il campione. Si può dire che le caratteristiche del campione non influenzino le caratteristiche del plasma .In effetti, il fascio ionico si può produrre anhe senza il campione.
• Nei processi di sputtering di tipo "scarica a bagliore" invece gli ioni vengono prodotti a causa del potenziale applicato al campione rispetto alla camera.

Penso sia utile specificare. Ci penserò. Grazie per le puntualizzazioni. Erikzahn 10:46, 21 nov 2005 (CET)

boh, io toglierei semplicemente la traduzione italiana che è comunque brutta... per quanto riguarda ioni positivi o negativi so che nel sims si usano anche ioni negativi e reattivi, se consideri lo sputtering come processo di deposizione usi solo Ar+ o qualche altro gas nobile (ma molto raramente). ad essere precisi comunque si può fare sputtering con qualsiasi tipo di particella energetica, quindi alla fine io lascerei sputtering e basta. per quanto riguarda lo sputtering descritto nell'articolo sul sims si può anche pensare di unire le due descrizioni, vorrei far notare però che sarebbe poi opportuno distinguere (magari nel paragrafo applicazioni) il fatto che nel sims lo sputtering avviene dirigendo un fascio di ioni sul campione in atmosfera di ultra alto vuoto per poi raccogliere gli ioni secondari emessi dal campione che avendo un libero cammino medio molto lungo se ne volano per tutta la camera da vuoto, nel caso dello sputtering per pulizia superficiale o per depositare film sottili si crea un plasma a circa 10^-3 mbar in prossimità del target quindi gli ioni secondari emessi vengono quasi tutti neutralizzati, quindi non se ne ha praticamente nessuno in camera. --Yattaman 12:13, 21 nov 2005 (CET)

Ogni distinguo nell'articolo e' utilissimo perche' spiega meglio la materia. Cmq nel SIMS il 99% delle particelle prodotte dallo sputtering sono neutre: la probabilita' che una particella ionizzata si neutralizzi durante l'emissione e' comunque molto elevata; si stanno infatti studiando tecniche SNMS, ovvero "spettrometria di massa di neutri secondari", perche' consentirebbero analisi su molto piu' materiale --Fede (msg) 12:13, 23 nov 2005 (CET)

grazie per la precisazione, fa sempre bene un rinfresco di teoria :)

Penso che nell'articolo manchi la parte riguardante l'erosione catodica da stopping elettronico... Se pensate sia la sezione giusta aggiungo...

Elettrometallurgia

Secondo voi lo sputtering è a tutti gli effetti un processo elettrometallurgico? Se sì, si potrebbe inserire un riferimento nella voce Elettrometallurgia. --Aushulz (msg) 17:44, 12 gen 2012 (CET)

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