File:Difetto di impilaggio in reticolo CFC.png

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Dettagli

Descrizione
Italiano: Sinistra - Meccanismi di scorrimento di una dislocazione a spigolo unitaria su un piano {111} in direzione <-110>.

La dislocazione (la linea di dislocazione si trova precisamente sul piano di atomi tratteggiati in figura, e il semipiano extra si estende in direzione entrante) può costringere gli atomi in blu a spostarsi secondo un salto singolo oppure secondo due spostamenti più agevoli lungo gli avvallamenti nello strato atomico sottostante (le due modalità sono evidenziate rispettivamente in rosso e in arancione). Destra - Difetto di impilaggio delimitato da due dislocazioni parziali.

Se lo scorrimento della dislocazione procede secondo la seconda modalità, al termine del primo salto gli atomi traslati si trovano ad occupare una posizione anomala nella regione in verde, che dunque rappresenta l'area di stacking fault, delimitata da due dislocazioni parziali.
English: Left - Glide mechanisms for a total edge dislocation on a {111} plane in <-110> direction.

The dislocation (its line is located precisely on the plane of dashed atoms, and the extra half-plane extends in the entering direction) can force the blue atoms to move by a single jump or by two easier shifts along the valleys in the underlying atomic layer (the two possibilities are highlighted in red and orange, respectively). Right - Stacking fault limited by two partial dislocations.

If the glide happens according to the second manner, at the end of the first jump the shifted atoms find themselves in an irregular position within the green region, which therefore represents the stacking fault area, limited by two partial dislocations.
Data
Fonte Opera propria
Autore Gianluigi Baiardi

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Difetto di impilaggio e sua formazione in un reticolo CFC

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