Con il termine '''giunzione p-n''' si indica l'[[interfaccia (chimica)|interfaccia]] che separa le parti di un [[semiconduttore]] sottoposte a [[drogaggio]] di tipo differente.
La giunzione p-n è composta dadi due zone: una con un eccesso di [[lacuna (fisica)|lacune]] (strato ''p'') e una adcon eccedenza di [[elettrone|elettroni]] (strato ''n''). Le eccedenze di elettroni e lacune si ottengono mediante drogaggio, con varie tecniche. Il termine ''giunzione'' fa riferimento alla regione in cui si incontrano i due tipi di drogaggio (P e N). La regione di confine tra i blocchi di tipo P e di tipo N è detta [[Regione di carica spaziale|zona/regione di carica spaziale (o di svuotamento)]]; in questo volume i [[Portatore di carica|portatori]], rispettivamente del lato ''p'' e del lato ''n'', di fronte al forte gradiente dovuto al diverso tipo di drogaggio, [[Diffusione elettrica|diffondono]] nel semiconduttore adiacente (generando una corrente di diffusione), lasciando non compensati gli atomi ionizzati dei droganti, i quali a loro volta genereranno una differenza di potenziale, un campo elettrico e, spostando i portatori, una corrente di trascinamento che si oppone a quella di diffusione; la [[differenza di potenziale]] costante generata dagli ioni di materiale drogante è chiamata [[Regione di carica spaziale#Tensione di built-in|tensione di ''built-in'']]. La larghezza della zona di carica spaziale dipende dai drogaggi e da ciascun lato è inversamente proporzionale al drogaggio del semiconduttore.
Dato che la carica elettrica degli ioni negativi deve compensare perfettamente quella degli ioni positivi si avrà:
