Unità di memoria a stato solido: differenze tra le versioni

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rb. Rimossa informazione senza darne motivazione
m rimozione ad opera dell'utente E2PROM; per dettagli vedasi discussione voce
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* Minori consumi elettrici durante le operazioni di lettura e scrittura;
* Tempi di accesso e archiviazione ridotti: si lavora nell'ordine dei decimi di millisecondo<ref>[http://www.mtron.net/english/PressRoom/PressRoom.asp?sid=PressRoom&xact=view&idx=95 mtron.net - de beste bron van informatie over mtron<!-- Titolo generato automaticamente -->] {{webarchive|url=https://web.archive.org/web/20071205070131/http://www.mtron.net/English/pressroom/pressroom.asp?sid=pressroom |data=5 dicembre 2007 }}</ref>; il tempo di accesso dei dischi magnetici è oltre 50 volte maggiore, attestandosi invece tra i 5 e i 10 millisecondi;
* Non necessitano di [[deframmentazione]];
* Maggior velocità di trasferimento dati;
* Maggiore resistenza agli urti: le specifiche di alcuni produttori arrivano a dichiarare resistenza a urti di 1500 [[Accelerazione di gravità|g]]<ref name="supertalent">http://www.supertalent.com/datasheets/6_54.pdf</ref>;