Unità di memoria a stato solido: differenze tra le versioni

== Dettagli tecnici ==

{{vedi anche|Memoria flash}}

Le unità allo stato solido si basano su [[memoria flash]] solitamente di tipo [[Memoria flash#NAND Flash|NAND]] per l'immagazzinamento dei dati, ovvero sfruttano l'[[effetto tunnel]] per modificare lo stato elettronico di celle di [[transistor]]; per questo essi non richiedono parti meccaniche in movimento (dischi, motori e testine), né componenti magnetici, il che comporta notevoli vantaggi alla riduzione dei consumi elettrici e dell'usura.