Differenze tra le versioni di "Dispositivo logico programmabile"

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(→‎Cenni storici: è una pura formalità, ma quando di indica un periodo come un decennio non è corretto dire "anni 1960" o simili, bensì "anni 60")
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Gli antifusibili al silicio sono usati nelle PAL e sono realizzati applicando una tensione fra due punti dello strato di silicio interno del chip. Hanno questo nome perché funzionano in modo opposto ai [[fusibile|fusibili]], che inizialmente conducono e si interrompono al passaggio della corrente di guasto.
 
Le SRAM e le RAM sono memorie volatili, quindi la programmazione viene persa allo spegnimento e deve essere ricaricata alla riaccensione, di solito automaticamente, a cura di una parte dedicata del circuito. Le memorie flash sono non-volatili, cioè mantengono i dati anche a circuito disalimentato e possono essere facilmente cancellate e riprogrammate. Una cella EPROM è basata su [[transistor]] di tipo [[MOS Technology|MOS]] che possono essere messi in stato ON confinando permanentemente cariche elettriche nel terminale ''gate''. La programmazione si effettua usando un apparecchio chiamato [[PAL programmer]]. Le cariche rimangono memorizzate per molti anni, e possono essere rimosse esponendo il chip a [[radiazione ultravioletta|radiazioni ultraviolette]] di forte intensità emesse da un [[EPROMcancellatore eraser]]di EPROM.
 
=== Il rapporto con l'utilizzo di ROM ===
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