MOSFET: differenze tra le versioni
→Mosfet di potenza
(→Miniaturizzazione dei MOSFET: aggiornamento) |
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Prendiamo come esempio il mosfet FDP6030L. La sua RDSon risulta sempre compresa tra 0,0095 e 0,02 ohm; utilizzandolo per interrompere una corrente di 10 Ampere la caduta di tensione massima tra drain e source sarà quindi di 0,2 volt. In analoghe condizioni di lavoro, un transistor di potenza tradizionale avrebbe una Vce-sat di almeno 1 volt o più. In questo modo il mosfet consente di migliorare il rendimento e diminuire la dissipazione termica di apparecchi di potenza alimentati a basse tensioni, come il caso degli inverter. Inoltre questa caratteristica consente di migliorare lo [[slew rate]] degli amplificatori audio, oltre a diminuirne la dissipazione termica. In conclusione abbiamo un componente di piccole dimensioni, in contenitore TO220, in grado di lavorare con correnti molto elevate, fino a 52 ampere, e tensioni fino a 30 volt.
Ovviamente le caratteristiche dei singoli modelli di mosfet di potenza variano in funzione delle specifiche richieste. Per esempio, il BUK455-100A può lavorare fino a 100 volt, ma con correnti massime di 26 ampere e una RDSon di 0,08 ohm, mentre il STW7NA80 sopporta tensioni fino a 800 volt, con 6,5 ampere e una RDSon tipica di 1,68 ohm. Appare dunque evidente la necessità di scegliere oculatamente il modello di mosfet necessario per ogni singola applicazione, evitando di
==Voci correlate==
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