MOSFET: differenze tra le versioni

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Sostituzioni standard: inversione accenti, composti di «che»
m (Sostituzioni standard: inversione accenti, composti di «che»)
<math>V_{tn}=V_{tn0}+ \gamma(\sqrt{V_{BS}+2 \phi_{F}}-\sqrt{2 \phi_{F}})</math>.
 
In sostanza, l'effetto body è dovuto alla presenza di capacità parassite tra il canale, sostanzialmente al potenziale del ''source'', e il substrato del transistore. Le variazioni della tensione di comando vedono pertanto una partizione capacitiva tra la capacità ''gate''-canale e la capacità canale-substrato. Nel caso in cui il ''source'', e quindi il canale in prima approssimazione, è mantenuto allo stesso potenziale del substrato questa seconda capacità è ininfluente (poichèpoiché tra due nodi alla medesima tensione) ai fini del trasferimento del segnale e la tensione di soglia è quella nominale; invece la differenza di tensione tra ''source'' e substrato determina la necessità di un caricamento di questa capacità parassita oltre al caricamento solito della capacità tra ''gate'' e canale. Parte della tensione applicata al ''gate'' va dunque a cadere su questa capacità parassita, e per ottenere il risultato voluto di inversione dei portatori all'interfaccia ossido-substrato si deve aumentare la tensione di comando, il che equivale da un punto di vista complessivo ad un aumento della tensione di soglia del transistore.
 
A causa dell'effetto body, l'equazione scritta per le correnti nel MOSFET non è accurata. Infatti se supponiamo di mantenere una certa tensione tra il drain ed il source, la tensione nei punti del canale non è costante, ma varia man mano che ci si sposta da un potenziale all'altro (solitamente la massa per il source). Questo effetto è trascurato nella formulazione che porta all'equazione scritta sopra, che già per questo motivo risulta approssimata. Una ulteriore approssimazione deriva dalll'aumento della tensione di soglia. Il campo elettrico presente nel canale è dettato unicamente dalle tensioni di drain e di source, mentre la carica indotta all'interfaccia ossido-silicio dipende dalla tensione di gate. Se si considera la tensione di soglia senza effetto body si ha una carica indotta nel canale minore di quella che i calcoli vorrebbero, ossia il trascurare l'aumento della tensione di soglia comporta un errore in eccesso nella valutazione della corrente del canale. Per questa corrente sarebbe necessario aumentare il campo elettrico, ma ciò non è possibile in quanto E dipende solo dalla tensione tra drain e source. Si ha allora una distribuzione del campo elettrico diversa da quella attesa nella approssimazione fatta, e una corrente che risulta essere minore.
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