Magnetoresistive Random Access Memory: differenze tra le versioni

I dati possono essere scritti nella cella utilizzando diverse tecniche. Il metodo più semplice prevede di far scorrere sopra le celle di memoria una serie di linee di scrittura orizzontali e verticali. Per scrivere su una cella basta alimentare la corretta linea di riga e di correntecolonna, la corrente che scorre nelle linee genera per [[induzione elettromagnetica]] un campo magnetico, sopra la cella dida scrivere si forma un campo magnetico formato dall'unione dei due campi magnetici generati dalla linea di riariga e di colonna. Questo campo magnetico è sufficiente per modificare il campo magnetico immagazzinato dallo strato superiore della cella. Questo metodimetodo di scrittura eè simile a quello utilizzato dalle [[memoria a nucleo magnetico|memorie a nucleo magnetico]] utilizzate negli [[anni 1960|anni sessanta]], essendo la tecnica simile ne eredita anche gli inconvenienti. Il primo l'inconveniente eè di richiedere molta energieenergia e quindi non essere adatta per dispositivi portatili. Inoltre limita la dimensione minima della cella, ridurre troppo le celle porterebbe il campo magnetico a modificare anche le celle circostanti alla cella da scrivere generando false scritture. Una soluzione al problema sembrava essere l'utilizzo di celle circolari e l'utilizzo dell'[[Magnetoresistenza gigante|effetto magnetoresistivo gigante]] per la lettura e la scrittura, ma sembra che questa linea di sviluppo sia stata abbandonata.