MOSFET: differenze tra le versioni

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m (Sostituzioni standard: inversione accenti, composti di «che»)
::In questo caso l'interruttore è spento e non c'è corrente tra ''drain'' e ''source''. Mentre la corrente tra ''drain'' e ''source'' dovrebbe idealmente essere nulla poiché l'interruttore è spento, c'è in realtà una debole corrente di inversione, o [[corrente di sottosoglia]]. Questa corrente è una delle cause del consumo di potenza nei circuiti integrati.
:2. Triodo o regione lineare: quando <math>V_{GS} > V_{tn}</math> e <math>V_{DS} < V_{GS} - V_{tn}</math>
::L'interruttore è acceso, e si crea un canale che permette alla corrente di scorrere tra ''drain'' e ''source''. Il MOSFET lavora come un resistore. La corrente tra ''drain'' e ''source'' è <math>I_{DS} = \frac{\mu_n C_{ox}}{2}\frac{W}{L}(2(V_{GS}-V_{tn})V_{DS}-V_{DS}^2)</math>:
::<math>I_{DS} = \frac{\mu_n C_{ox}}{2}\frac{W}{L}(2(V_{GS}-V_{tn})V_{DS}-V_{DS}^2)</math>,
::dove <math>C_{ox}</math> rappresenta la capacità per unità di superficie, <math>{\mu_n}</math> rappresenta la mobilità dei [[Portatore di carica|portatori di carica]], <math>W</math> la larghezza di gate e <math>L</math> la lunghezza di gate.
:3. Saturazione: quando <math>V_{GS} > V_{tn}</math> e <math>V_{DS} > V_{GS} - V_{tn}</math>
::L'interruttore è acceso, e si è creato un canale che permette alla corrente di scorrere tra ''drain'' e ''source'', ma la corrente non dipende dalla tensione applicata al canale, e quindi il MOSFET non funziona come un resistore, ma come un amplificatore. La corrente è
::<math>I_{DSAT} = \frac{\mu_n C_{ox}}{2}\frac{W}{L}(V_{GS}-V_{tn})^2 (1+ \lambda V_{DS})</math>.
::Il fattore <math>(1+ \lambda V_{DS})</math> tiene conto dell'effetto di modulazione di canale. In alcuni casi, nell'analisi di circuiti che utilizzano transistori MOSFET il termine <math>\lambda</math> viene approssimato a zero. Normalmente <math>\lambda</math> è compreso tra 0.1 e 0.001.
 
Il fattore <math>(1+ \lambda V_{DS})</math> tiene conto dell'effetto di modulazione di canale. In alcuni casi, nell'analisi di circuiti che utilizzano transistori MOSFET il termine <math>\lambda</math> viene approssimato a zero. Normalmente <math>\lambda</math> è compreso tra 0.1 e 0.001.
 
Benché il comportamento del MOSFET sia stato descritto in modo diverso per ognuna delle tre zone di funzionamento, la [[caratteristica di uscita]] ottenuta con questo modello matematico risulta essere una funzione continua.
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