MOSFET: differenze tra le versioni
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Il '''MOSFET''' è certamente il più comune [[transistor a effetto di campo]] sia nei [[circuito digitale|circuiti digitali]] che in quelli [[circuito analogico|analogici]]. Il MOSFET è composto da un substrato di materiale [[semiconduttore]] di tipo n o di tipo p. Solitamente il semiconduttore scelto è il [[silicio]], ma alcuni produttori di circuiti elettronici, in particolare [[IBM]], hanno cominciato a usare una miscela di silicio e [[germanio]] (SiGe) nei canali MOSFET. Sfortunatamente, molti semiconduttori con migliori proprietà elettroniche rispetto al silicio, come l'[[arseniuro di gallio]] (GaAs), non formano buoni ossidi sul ''gate'' e quindi non sono adatti per i MOSFET.
Il terminale di ''gate'' è uno strato di [[polisilicio]] (silicio policristallino; più avanti si spiega perché viene usato il polisilicio) posto sopra il canale, ma separato dal canale tramite un sottile strato isolante di biossido di silicio (SiO<sub>2</sub>). Quando si applica una tensione, superiore alla tensione di soglia "Vth", tra i terminali di ''gate'' e ''source'', il campo elettrico che si genera crea quello che si chiama "canale" nel substrato sottostante. Il canale è dello stesso tipo (n o p) del ''source'' e del ''drain'', quindi fornisce un percorso conduttivo tra questi due elettrodi. Variando la tensione tra ''gate'' e ''bulk'' (substrato) (che di solito si considera implicitamente collegato al ''source'') si modifica di conseguenza la [[conduttività]] di questo strato e rende possibile controllare il flusso di corrente tra ''drain'' e ''source''.
==Zone di lavoro del MOSFET==
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