Magnetoresistive Random Access Memory: differenze tra le versioni

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La '''Magnetoresistive Random Access Memory''' ('''MRAM''' memoria ad accesso casuale magnetoresistiva) è una tipologia di [[memoria non volatile]] in sviluppo dagli [[anni 901990|anni novanta]] che sfrutta l'effetto [[Magnetoresistenza|magnetoresistivo]]. Il continuo incremento di densità delle [[memoria flash|memorie flash]] e delle [[DRAM]] hanno attualmente relegato le memorie MRAM in un mercato di nicchia ma gli sviluppatori della tecnologia sono convinti che i vantaggi di questa tipologia infine prevarranno su quelli dei concorrenti.
 
==Funzionamento==