Epitassia: differenze tra le versioni

Per crescita epitassiale si intende la deposizione di sottili strati di materiale cristallino su un substrato massivo, anch'esso cristallino, che ne indirizza la crescita e ne determina le proprietà strutturali. Lo spessore dello strato epitassiale può variare dalla frazione di nanometro a centinaia di micron. L'epitassia può definirsi omoepitassia quando il materiale epitassiale è lo stesso del substrato massivo, oppure eteroepitassia,quando il materiale epitassiale è chimicamente differente dal substrato.

Le tecniche epitassiali sono molte. Tra le più comuni, l'epitassia da fase liquida (LPE, dall'inglese Liquid Phase Epitaxy) permette di crescere strati epitassiali molto spessi, mentre l'epitassia da fasci molecolari (MBE, dall'inglese Molecular Beam Epitaxy) e la deposizione da vapori chimici con precursori metallorganici (MOCVD, dall'inglese Metal-Organic Chemical Vapour Deposition) permettono un controllo dello spessore dei materiali dell'ordine del singolo strato atomico e sono adatte a crescere spessori relativamente sottili, fino a pochi micron.