Transistor a effetto di campo: differenze tra le versioni
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[[File:P45N02LD.jpg|thumb|[[MOSFET di potenza|Transistor di potenza]] a effetto di campo a canale N]]
Il '''transistor a effetto di campo''', anche conosciuto con l'[[abbreviazione]] '''FET''',<ref>"FET" è un [[prestito linguistico|prestito]] dell'[[lingua inglese|inglese]]. In particolare è l'[[acronimo]] del termine inglese "'''f'''ield-'''e'''ffect '''t'''ransistor". Nella lingua inglese "field-effect transistor" viene usato con lo stesso significato che questa voce di [[Wikipedia]] tratta per il termine italiano "transistor a effetto di campo".</ref><ref>Nel [[linguaggio comune]], tra i due sinonimi "transistor a effetto di campo" e "FET", è quasi sempre preferito "FET" (per la sua maggiore brevità).</ref> è una tipologia di [[transistor]] largamente usata nel campo dell'[[elettronica digitale]] e diffusa, in maniera minore, nell'[[elettronica analogica]].
Si tratta di un substrato di materiale [[semiconduttore]] drogato, solitamente il [[silicio]], al quale sono applicati quattro terminali: ''gate'' (porta), ''source'' (sorgente), ''drain'' (pozzo) e ''bulk'' (substrato); quest'ultimo, se presente, è generalmente connesso al source. I principio di funzionamento del transistor a effetto di campo si fonda sulla possibilità di controllare la [[conduttività elettrica]] del dispositivo, e quindi la [[corrente elettrica]] che lo attraversa, mediante la formazione di un [[campo elettrico]] al suo interno. Il processo di conduzione
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