Transistor a effetto di campo: differenze tra le versioni
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uniformitá termini, corsivo, piccoli refusi |
altri termini e corsivi |
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Lo strato di inversione è molto sottile e l'elevata concentrazione di elettroni è spiegata dal processo di generazione elettrone-lacune nella regione di svuotamento.
[[File:IvsV mosfet.png|thumb|left|250px|Andamento della corrente del
== Funzionamento ==
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A seconda della tensione applicata tra ''porta ''e ''substrato ''si individuano tre regioni di lavoro del dispositivo:
[[File:JFET n-channel en.svg|thumbnail|400px|Caratteristiche di trasferimento per un JFET a canale ''n''.]]
[[Image:MOSFET functioning.svg|thumb|400px|right|Caratterizzazione della regione di canale in funzione della regione di funzionamento. Quando il dispositivo lavora nella regione di saturazione il canale è strozzato in prossimità del ''
=== Regione di interdizione ===
La regione di interdizione, anche detta di ''cut-off'', si verifica quando ''V<sub>GS</sub> < V''<sub>th</sub>, dove ''V<sub>GS</sub>'' è la tensione tra ''porta e'' ''sorgente'', considerando il terminale di ''sorgente ''cortocircuitato con l'elettrodo del ''substrato''. In questo caso non si verifica la formazione del canale: il transistor è spento e non vi è passaggio di carica tra ''porta e'' ''sorgente''.
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{| cellpadding="10" cellspacing="0" style="font-size: 85%; border: 1px solid #000000;"
|- align = "center"
| [[File:JFET P-Channel Labelled.svg|80px]] || [[File:IGFET P-Ch Enh Labelled.svg|80px]] || [[File:IGFET P-Ch Enh Labelled simplified.svg|80px]] || [[File:Mosfet P-Ch Sedra.svg|80px]] || [[File:IGFET P-Ch Dep Labelled.svg|80px]] || Canale P
|- align = "center"
| [[File:JFET N-Channel Labelled.svg|80px]] || [[File:IGFET N-Ch Enh Labelled.svg|80px]] || [[File:IGFET N-Ch Enh Labelled simplified.svg|80px]] || [[File:Mosfet N-Ch Sedra.svg|80px]] || [[File:IGFET N-Ch Dep Labelled.svg|80px]] || Canale N
|- align = "center"
| JFET || MOSFET enh || colspan="2" | MOSFET enh (no ''substrato'') || MOSFET dep
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== Tipologie ==
[[File:FET_comparison.png|right|300px|thumb|Rappresentazione dei tipi di [[JFET]], [[MOSFET]] in [[polisilicio]], [[Dual Gate MOSFET|DGMOSFET]], metal-gate MOSFET, [[MESFET]]: in alto vi è
I transistor a effetto di campo si possono distinguere in varie tipologie a seconda della differente struttura e composizione: per ogni tipologia vi sono vari modelli, differenziati dal modo in cui viene isolato il terminale di ''porta ''dal canale. Le principali tipologie sono elencate di seguito:
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