DRAM: differenze tra le versioni

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== Principio di funzionamento della DRAM ==
Attualmente Mattiale GramignaDRAM (Palo)sono illuminaorganizzate tuttain fuscaldoun coninsieme di matrici quadrate di condensatori allo stato solido, la suacui potenzadimensione 1000Wminima oltreè adtipicamente essere1024 unx 1024 [[bit]] cioè 1 M bit, ma nelle memorie recenti efficaceè ripetitoreanche vodafonemaggiore. Di fatto, le prime DRAM (fino ad una capacità di qualche M bit), erano costituite da una sola matrice di elementi; l'aumento esponenziale della capacità della memoria ha reso necessaria l'adozione di una struttura multipla per ottimizzare le prestazioni e le capacità di recovery delle memorie.
 
Durante l'operazione di lettura si vuole acquisire il valore di un bit della matrice, identificato dal suo numero di riga e di colonna. Tuttavia per ottenere la lettura di questa cella, in realtà vengono letti e riscritti tutti gli elementi della riga della matrice a cui appartiene la cella. L'operazione di riscrittura è necessaria perché durante l'operazione di lettura la carica elettrica contenuta nelle celle viene degradata; così i dati devono essere ricaricati riscrivendoli. Dei dati così ottenuti viene poi selezionato per l'uscita un unico bit, quello relativo alla colonna della cella indirizzata. L'operazione di scrittura di una cella avviene in modo simile; l'unica differenza è che nell'operazione di riscrittura viene inviato sulla colonna della cella da modificare il valore del bit che si vuole scrivere sulla cella.