Giunzione p-n: differenze tra le versioni
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Poiché la regione di tipo P è connessa al terminale negativo dell'alimentazione, le [[Lacuna (fisica)|lacune]] nella regione di tipo P vengono spinte lontano dalla giunzione, facendo crescere l'ampiezza della zona svuotata. Lo stesso succede nella zona di tipo N, dove gli elettroni vengono spinti lontano dalla giunzione a causa dell'azione del terminale positivo dell'alimentazione.
Questo aumenta l'ampiezza della zona svuotata e la tensione negativa applicata al dispositivo si concentra quasi completamente ai capi della zona di carica spaziale alzando la barriera di [[potenziale elettrico|potenziale]]. Anche qui si crea quindi uno
===Caratteristica ideale della giunzione pn===
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Anche il contatto tra i terminali in metallo e il materiale semiconduttore crea giunzioni particolari chiamate [[Diodo|diodi Schottky]]. In una situazione ideale semplificata un diodo a semiconduttore non funzionerebbe perché sarebbe composto da vari diodi connessi in serie. In pratica, impurità di superficie presenti sulla parte di semiconduttore che tocca i terminali di metallo riducono molto la larghezza di quelle regioni svuotate a un punto tale che le giunzioni metallo/semiconduttore non sono rettificanti (funzionano come diodi sempre accesi indipendentemente dalla tensione applicata).
Di altro genere sono le [[eterogiunzione|eterogiunzioni]], che si ottengono dal contatto tra due semiconduttori di differente natura. Un esempio sono le eterogiunzioni tra silicio e germanio, oppure quelle tra semiconduttori polimerici. E anche stazionari
==Voci correlate==
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