Differenze tra le versioni di "Transistor a effetto di campo"

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== Struttura ==
[[File:N-channel JFET.JPG|thumb|right|200px|Sezione di un JFET a canale n]]
[[File:MOSFET_schema.png|thumb|right|200px|Sezione di un MOSFET a canale p]]
Il transistor ad effetto di campo viene realizzato affiancando il terminale di ''porta ''da due regioni di silicio [[drogaggio|drogate]] in maniera opposta al ''substrato'', che costituiscono i terminali di ''pozzo ''e ''sorgente''. Tali diffusioni costituiscono una [[giunzione p-n]], un contatto tra i blocchi di tipo P e di tipo N ed è priva di [[Portatore di carica|portatori]] liberi. Ai due lati della giunzione vi è una [[differenza di potenziale]] costante, chiamata [[Regione di carica spaziale#Tensione di built-in|tensione di built-in]], che deve mantenere una polarizzazione inversa per il funzionamento del dispositivo.
 
 
Lo strato di inversione è molto sottile e l'elevata concentrazione di elettroni è spiegata dal processo di generazione elettrone-lacune nella regione di svuotamento.
[[File:IvsV mosfet.svg|thumb|left|250px|Andamento della corrente del ''pozzo ''in funzione della tensione tra ''pozzo ''e ''sorgente ''per vari valori di <math>V_{GS}-V_{th}</math> in un MOSFET. La linea di contorno tra le regioni lineare e di saturazione è rappresentata dal ramo di parabola.]]
 
== Funzionamento ==
 
A seconda della tensione applicata tra ''porta ''e ''substrato ''si individuano tre regioni di lavoro del dispositivo:
[[File:JFET n-channel en.svg|thumbnailthumb|400pxupright=1.8|Caratteristiche di trasferimento per un JFET a canale ''n''.]]
[[Image:MOSFET functioning.svg|thumb|400px|rightupright=1.8|Caratterizzazione della regione di canale in funzione della regione di funzionamento. Quando il dispositivo lavora nella regione di saturazione il canale è strozzato in prossimità del ''pozzo'', e la corrente dipende solamente dalla tensione tra la'' porta ''e la ''sorgente''.]]
=== Regione di interdizione ===
La regione di interdizione, anche detta di ''cut-off'', si verifica quando ''V<sub>GS</sub> < V''<sub>th</sub>, dove ''V<sub>GS</sub>'' è la tensione tra ''porta e'' ''sorgente'', considerando il terminale di ''sorgente ''cortocircuitato con l'elettrodo del ''substrato''. In questo caso non si verifica la formazione del canale: il transistor è spento e non vi è passaggio di carica tra ''porta e'' ''sorgente''.
 
== Tipologie ==
[[File:FET_comparison.png|right|300pxupright=1.4|thumb|Rappresentazione dei tipi di [[JFET]], [[MOSFET]] in [[polisilicio]], [[Dual Gate MOSFET|DGMOSFET]], metal-gate MOSFET, [[MESFET]]: in alto vi è la ''sorgente'', in basso il ''pozzo'', a sinistra la ''porta'', a destra il ''substrato''. Sono indicati in grigio la regione priva di portatori di carica, in rosso la regione ricca di lacune, in blu la regione ricca di elettroni, in bianco l'isolante ed in nero il metallo.]]
I transistor a effetto di campo si possono distinguere in varie tipologie a seconda della differente struttura e composizione: per ogni tipologia vi sono vari modelli, differenziati dal modo in cui viene isolato il terminale di ''porta ''dal canale. Le principali tipologie sono elencate di seguito:
 
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