Differenze tra le versioni di "Transistor a effetto di campo"

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| titolo=MOSFET modeling for circuit analysis and design
| anno= 2007 | pagine=83 | editore=World Scientific
| città=London/Singapore | idisbn=ISBN981-256-810-7| url=http://worldcat.org/isbn/981-256-810-7}}
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</ref><ref name=Malik>{{Cita libro
| autore=Norbert R Malik
| titolo=Electronic circuits: analysis, simulation, and design
| anno= 1995 | pagine=315–316 | editore=Prentice Hall
| città=Englewood Cliffs, NJ | idisbn=ISBN0-02-374910-5| url=http://worldcat.org/isbn/0-02-374910-5}}
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</ref> o ''di triodo'', si verifica quando <math>V_{GS} > V_{tn}</math> e <math>V_{DS} < (V_{GS} - V_{tn})</math>.
 
{{Cita libro
| autore=PR Gray, PJ Hurst, SH Lewis & RG Meyer
| titolo=§1.5.2 p. 45 | idisbn=ISBN0-471-32168-0| url=http://worldcat.org/isbn/0-471-32168-0}}
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</ref><ref name=Sedra>
{{Cita libro
| titolo=Microelectronic circuits
| anno=2004 | edizione=Fifth Edition | pagine=552
| editore=Oxford | città=New York | idisbn=ISBN0-19-514251-9| url=http://worldcat.org/isbn/0-19-514251-9}}
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</ref> si verifica quando <math>V_{GS} > V_{tn}</math> e <math>V_{DS} > (V_{GS} - V_{tn})</math>. All'aumentare della tensione <math>V_{DS}</math> tra ''pozzo ''e ''sorgente'', la differenza di potenziale <math>V_{GD} = V_{GS} - V_{DS}</math> fra la ''porta ''e la regione del canale vicina al ''pozzo ''diminuisce, ed il canale viene progressivamente strozzato in prossimità di esso. Tale fenomeno è detto ''pinch-off'', e la strozzatura si verifica nel punto di ascissa <math>L'</math>, pari alla lunghezza del canale, in cui il potenziale è pari a <math>V_{GS} - V_{tn}</math>.<ref name=seiuno>{{Cita|Spirito|Pag. 61|Spirito}}</ref> La carica di inversione, dunque, diminuisce all'avvicinarsi al terminale di ''pozzo'', e questo implica che una volta raggiunto il completo strozzamento il valore della corrente <math>I_{D}</math> che percorre il canale non dipende dalla variazione di <math>V_{DS}</math>, dal momento che la tensione ai capi del canale ohmico rimane costante. Le cariche attraversano quindi la regione svuotata <math>L - L'</math> sostenute dal campo elettrico, sicché la corrente dipende solamente dalla tensione <math>V_{GS}</math>, ed il transistor funziona come [[Amplificatore (elettronica)|amplificatore]].<ref name=seiuno/> Quando il transistor lavora in regione di saturazione la corrente dipende quadraticamente dalla tensione tra ''porta e'' ''sorgente'':<ref>{{Cita|Spirito|Pag. 62|Spirito}}</ref>
 
 
==Bibliografia==
*{{cita libro|Paolo| Spirito| Elettronica digitale| 2006 | McGraw-Hill Libri Italia sr.| Milano |idisbn=ISBN 9788838663239978-88-386-6323-9|cid=Spirito}}
 
== Voci correlate ==
541 210

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