Differenze tra le versioni di "Transistor a effetto di campo"

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* '''[[MESFET]]''', acronimo di ''Metal–Semiconductor Field-Effect Transisto'', dispositivo che sostituisce alla [[giunzione p-n]] la barriera di Schottky.
* '''[[MODFET]]''', acronimo di ''Modulation-Doped Field Effect Transistor'', usa una struttura a [[buca di potenziale]].
* '''[[MOSFET]]''', acronimo di ''Metal–Oxide–Semiconductor Field-Effect Transistor'', utilizza un [[isolante elettrico|isolante]] tra ''gate ''e ''substrato''.
* '''[[NOMFET]]''', acronimo di ''Nanoparticle Organic Memory FET''.
* '''[[OFET]]''', acronimo di ''Organic FET'', usa un semiconduttore organico.
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