Differenze tra le versioni di "Transistor a effetto di campo"

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In un transistor FET l'effetto transistor si ottiene tramite il campo elettrico indotto dalla [[tensione elettrica|tensione]] applicata tra il terminale di ''gate ''e l'estremità opposta del semiconduttore, detto ''bulk'', che è generalmente posto al potenziale di ''source''. Tale differenza di potenziale crea un canale di conduzione nel silicio attraverso il quale i portatori di carica si spostano dal ''source ''al ''drain ''nel caso di un FET a canale N, dal ''drain ''al ''source'' nel caso di un FET a canale P. L'applicazione di una tensione al ''gate ''permette quindi di controllare il passaggio di [[Carica (fisica)|cariche]] tra il ''source ''e il ''drain'', e quindi la [[corrente elettrica]] che attraversa il dispositivo.
 
Per un transistor FET a canale ''n'' la regione di substrato che collega ''drain ''e ''source'' , la regione di canale, può essere o ricca di lacune, o vuota, o ricca di elettroni a seconda che sia rispettivamente di accumulazione, di svuotamento o di inversione. Quando si applica una tensione superiore alla tensione di soglia <math>V_{tnth}</math> tra i terminali di ''gate e'' ''source'', ottenendo la regione di inversione, vi è un passaggio di cariche attraverso il canale controllato dalla tensione al terminale di ''gate''. Se la tensione è invece inferiore alla tensione di soglia vi è il passaggio di una piccola corrente, detta [[corrente di sottosoglia]].
 
Per un transistor FET a canale p, le distribuzioni di carica sono contrarie, per cui il substrato ha un drogaggio di tipo ''n'' e i terminali di ''gate ''e ''source ''di tipo ''p''.
| anno= 1995 | pagine=315–316 | editore=Prentice Hall
| città=Englewood Cliffs, NJ | isbn=0-02-374910-5| url=http://worldcat.org/isbn/0-02-374910-5}}
</ref> o ''di triodo'', si verifica quando <math>V_{GS} > V_{tnth}</math> e <math>V_{DS} < (V_{GS} - V_{tnth})</math>.
 
In questo caso il transistor è acceso, e si è creato il canale che permette il passaggio di corrente tra i terminali ''drain ''e ''source ''controllato dalla tensione V<sub>GS</sub>. Avendo il canale una componente resistiva, il MOSFET lavora come un [[resistore]]
| anno=2004 | edizione=Fifth Edition | pagine=552
| editore=Oxford | città=New York | isbn=0-19-514251-9| url=http://worldcat.org/isbn/0-19-514251-9}}
</ref> si verifica quando <math>V_{GS} > V_{tnth}</math> e <math>V_{DS} > (V_{GS} - V_{tnth})</math>. All'aumentare della tensione <math>V_{DS}</math> tra ''drain ''e ''source'', la differenza di potenziale <math>V_{GD} = V_{GS} - V_{DS}</math> fra il ''gate ''e la regione del canale vicina al ''drain ''diminuisce, ed il canale viene progressivamente strozzato in prossimità di esso. Tale fenomeno è detto ''pinch-off'', e la strozzatura si verifica nel punto di ascissa <math>L'</math>, pari alla lunghezza del canale, in cui il potenziale è pari a <math>V_{GS} - V_{tnth}</math>.<ref name=seiuno>{{Cita|Spirito|Pag. 61|Spirito}}</ref> La carica di inversione, dunque, diminuisce all'avvicinarsi al terminale di ''drain'', e questo implica che una volta raggiunto il completo strozzamento il valore della corrente <math>I_{D}</math> che percorre il canale non dipende dalla variazione di <math>V_{DS}</math>, dal momento che la tensione ai capi del canale ohmico rimane costante. Le cariche attraversano quindi la regione svuotata <math>L - L'</math> sostenute dal campo elettrico, sicché la corrente dipende solamente dalla tensione <math>V_{GS}</math>, ed il transistor funziona come [[Amplificatore (elettronica)|amplificatore]].<ref name=seiuno/> Quando il transistor lavora in regione di saturazione la corrente dipende quadraticamente dalla tensione tra ''gate e'' ''source'':<ref>{{Cita|Spirito|Pag. 62|Spirito}}</ref>
 
:<math>I_{Dsat} \simeq K (V_{GS}-V_{tnth})^2</math>
 
== Simbolo circuitale ==
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