Giunzione p-n: differenze tra le versioni

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La regione di svuotamento è piena di portatori, è sbagliato dire che non vi siano portatori! Inoltre ho cercato di chiarire ciò che succede nella regione di svuotamento.
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Con il termine '''giunzione p-n''' si indica l'[[interfaccia (chimica)|interfaccia]] che separa le parti di un [[semiconduttore]] sottoposte a [[drogaggio]] di tipo differente.
 
La giunzione p-n è composta da due zone: una con un eccesso di [[elettrone|elettroni]] (strato ''n'') e una ad eccedenza di [[lacuna (fisica)|lacune]] (strato ''p''). Le eccedenze di elettroni e lacune si ottengono mediante drogaggio, con varie tecniche. Il termine ''giunzione'' fa riferimento alla regione in cui si incontrano i due tipi di drogaggio (P e N). La regione di confine tra i blocchi di tipo P e di tipo N è detta [[Regione di carica spaziale|zona/regione di carica spaziale (o di svuotamento)]], nella; qualein questo volume i [[Portatore di carica|portatori]], rispettivamente del lato ''p'' e del lato ''n'', di fronte al forte gradiente dovuto al diverso tipo di drogaggio, diffondono nel semiconduttore adiacente (generando una corrente di diffusione), lasciando non compensati gli atomi ionizzati dei droganti, i quali a loro volta genereranno una differenza di potenziale, un campo elettrico e, spostando i portatori, una corrente di trascinamento che si oppone a quella di diffusione; la [[differenza di potenziale]] costante generata dagli ioni di materiale drogante è chiamata [[Regione di carica spaziale#Tensione di built-in|tensione di ''built-in'']]. La larghezza della zona di carica spaziale dipende dai drogaggi e da ciascun lato è inversamente proporzionale al drogaggio del semiconduttore.
 
Dato che la carica elettrica degli ioni negativi deve compensare perfettamente quella degli ioni positivi si avrà: