Regione di carica spaziale: differenze tra le versioni

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Portando in contatto un semiconduttore di tipo p con uno di tipo n, le lacune del primo tendono a fluire nel secondo, e viceversa gli elettroni liberi del semiconduttore di tipo n invadono il semiconduttore di tipo p.
A provocare questa diffusione è l'[[energia termica]] delle particelle.
Gli elettroni liberi e le lacune in vicinanza della giuporcogiunzione diosi ricombinano con le loro controparti lasciando così [[Ionizzazione|ionizzato]] gli strati adiacenti di materiale: negativamente dalla parte del semiconduttore di tipo p, positivamente dalla parte del semiconduttore di tipo n.
Si genera perciò un [[campo elettrico]] che si oppone ad un ulteriore scambio di portatori di carica.
Appena l'intensità del campo elettrico è tale da contrastare la diffusione dei portatori di carica, si instaura nella giunzione p-n un [[equilibrio termico]] stabile.