Differenze tra le versioni di "Transistor a effetto di campo"

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[[File:P45N02LD.jpg|thumb|[[MOSFET di potenza|Transistor di potenza]] a effetto di campo a canale N]]
IlIn [[lettronica]] il '''transistor a effetto di campo''', abbreviato '''FET''', dall'inglese '''''f'''ield-'''e'''ffect '''t'''ransistor'', è un tipo di [[transistor]] largamente usato nel campo dell'[[elettronica digitale]] e diffuso, in maniera minore, nell'[[elettronica analogica]].
 
Si tratta di un substrato di materiale [[semiconduttore]] drogato, solitamente il [[silicio]], al quale sono applicati quattro terminali: il ''gate'', il ''source'', il ''drain'' ed il ''bulk''; quest'ultimo, se presente, è generalmente connesso al source e se non presente è connesso al terminale esterno del gate. Il principio di funzionamento del transistor ad effetto di campo si fonda sulla possibilità di controllare la [[conduttività elettrica]] del dispositivo, e quindi la [[corrente elettrica]] che lo attraversa, mediante la formazione di un [[campo elettrico]] al suo interno. Il processo di conduzione coinvolge solo i [[portatore di carica|portatori di carica]] maggioritari, pertanto questo tipo di transistore è detto ''unipolare''.
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