Litografia ultravioletta estrema: differenze tra le versioni

La '''Litografia ultravioletta estrema''' o '''EUV''' o '''EUVL''' acronimi inglesi per '''Extreme ultraviolet lithography''' è una tecnologia di prossima generazione di [[litografia]] usando lunghezze d'onda nell'ultravioletto estremo (EUV), attualmente atteso per i 13,5nm5&nbsp;nm. EUV è attualmente sviluppato per essere utilizzato [[Intel]]<ref>[http://semiengineering.com/the-week-in-review-manufacturing-116/ Intel 7nm by 2019]</ref>, [[GlobalFoundries]]<ref>[http://www.electronicsweekly.com/blogs/mannerisms/manufacturing-mannerisms/glofo-looks-for-7nm-leadership-2016-05/ Globalfoundries EUV by 2020]</ref> e [[Samsung]]<ref>[https://www.semiwiki.com/forum/content/5721-samsung-10nm-7nm-strategy-explained.html Samsung 7nm by 2020]</ref> per i 7nm7&nbsp;nm, da [[TSMC]]<ref>[http://www.extremetech.com/computing/221532-tsmc-will-begin-10nm-production-this-year-claims-5nm-by-2020 TSMC 5nm by 2020]</ref> per i 5nm5&nbsp;nm e da [[Semiconductor Manufacturing International Corporation|SMIC]] per i 14nm14&nbsp;nm<ref>[http://www.eetimes.com/document.asp?doc_id=1326948 SMIC 14nm by 2020]</ref>.

*[[Litografia (elettronica)|Litografia]]