Resistenza elettrica: differenze tra le versioni

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== Circuito oscillante ==
Tramite il circuito in parallelo rispettivamente in serie di condensatori e induttori si concretizza un circuito oscillante. Il circuito oscillante ha una resistenza elettrica dipendente dalla frequenza, che solamente nell'intorno della frequenza di risonanza diventa estrema (minima rispettivamente massima). Questo effetto è utilizzato, tra l'altro, per filtrare da una miscellanea di segnali di frequenze diverse una frequenza nota. Con i circuiti risonanti reali occorrono delle perdite nei condensatori e negli induttori per la loro resistenza ohmica. Ma la resistenza ohmica dei condensatori si può, il più delle volte, trascurare. Per il circuito risonante in parallelo la resistenza di risonanza risulta:
Tramite il circuito in parallelo rispettivamente in serie di condensatori e induttori si concretizza un circuito oscillante
. Il circuito oscillante ha una resistenza elettrica dipendente dalla frequenza, che solamente nell'intorno della frequenza di risonanza diventa estrema (minima rispettivamente massima). Questo effetto è utilizzato, tra l'altro, per filtrare da una miscellanea di segnali di frequenze diverse una frequenza nota. Con i circuiti risonanti reali occorrono delle perdite nei condensatori e negli induttori per la loro resistenza ohmica. Ma la resistenza ohmica dei condensatori si può, il più delle volte, trascurare. Per il circuito risonante in parallelo la resistenza di risonanza risulta
:<math>R_p=\frac{L}{R_L C} </math>
 
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Oltre ai semiconduttori elementari esistono [[semiconduttore composto|semiconduttori composti]], ovvero [[lega (metallurgia)|leghe]] binarie o ternarie che si comportano come un semiconduttore.
 
Come già detto all'inizio del paragrafo è possibile aumentare la conduttività di questi elementi attraverso il drogaggio. Inserendo un elemento pentavalente (ad esempio l'[[arsenico]]) si formano dei legami covalenti tra il semiconduttore stesso e l'elemento aggiunto. Tuttavia un elettrone rimane libero di muoversi e diventa un [[banda di conduzione|elettrone di conduzione]]. L'arsenico in questo caso viene chiamato ''donore'' e il semiconduttore è detto di "tipo N".
Inserendo un elemento pentavalente (ad esempio l'[[arsenico]]) si formano dei legami covalenti tra il semiconduttore stesso e l'elemento aggiunto. Tuttavia un elettrone rimane libero di muoversi e diventa un [[banda di conduzione|elettrone di conduzione]]. L'arsenico in questo caso viene chiamato ''donore'' e il semiconduttore è detto di "tipo N".
 
Se il drogaggio avviene per introduzione di un elemento trivalente (ad esempio l'[[alluminio]]) si formeranno tre legami covalenti tra gli elettroni di ogni atomo del semiconduttore e quelli di ogni atomo dell'elemento aggiunto. Tuttavia un elettrone per ogni atomo del semiconduttore rimarrà libero e andrà ad aumentare la [[conduttività elettrica]], lasciando libera una lacuna che tende a catturare un altro elettrone dagli atomi vicini del semiconduttore e via dicendo. In questo caso l'alluminio è chiamato ''accettore'' ed il semiconduttore è denominato di "tipo P".