Differenze tra le versioni di "Transistor a effetto di campo"

Cosa c'entra le Rd dei FET (paragonabile alla hoe del resto) con la capacità di regolare grosse correnti?Ci sono MOSFET da centinaia di A!!!
(Cosa c'entra le Rd dei FET (paragonabile alla hoe del resto) con la capacità di regolare grosse correnti?Ci sono MOSFET da centinaia di A!!!)
La diversificazione dei metodi e dei materiali usati nella realizzazione del dispositivo ha portato alla distinzione di tre principali famiglie di FET: [[JFET]], [[MESFET]] e [[MOSFET]]. Il JFET, abbreviazione di ''Junction FET'', è dotato di una [[giunzione p-n]] come elettrodo rettificante; il MESFET, abbreviazione di ''Metal Semiconductor FET'', una giunzione Schottky raddrizzante metallo-semiconduttore ed il MOSFET, abbreviazione di ''Metal Oxide Semiconductor FET'', genera il campo elettrico grazie ad una struttura metallica esterna, separata dalla giunzione da uno strato di dielettrico.
 
Il transistor a effetto di campo è stato inventato da [[Julius Edgar Lilienfeld]] nel 1925, ma i primi dispositivi costruiti, i [[JFET]], risalgono 1952, quando fu tecnologicamente possibile realizzarli. Il Fet più diffuso è il [[MOSFET]], realizzato da [[Dawon Kahng]] e [[Martin Atalla]] nel 1959 presso i [[Bell Laboratories]].<ref>{{cita web|url=http://www.computerhistory.org/semiconductor/timeline/1960-MOS.html|titolo=Computer History - 1960 - Metal Oxide Semiconductor (MOS) Transistor Demonstrated|accesso=4 dicembre 2010}}</ref> Insieme al [[transistor a giunzione bipolare]], il FET è il transistor più diffuso in elettronica: a differenza del BJT esso presenta il vantaggio di avere il terminale ''gate ''di controllo isolato, nel quale non passa alcuna corrente; mentre ha lo svantaggio di non essere in grado di offrire molta [[corrente elettrica|corrente]] in uscita. In genere i circuiti con transistor FET hanno infatti un'alta [[impedenza]] di uscita, erogando quindi correnti molto deboli.
 
== Struttura ==
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