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Dopo avere conseguito nel [[1960]] il diploma di [[perito industriale]], specializzato in Radiotecnica, all'[[Istituto Tecnico Industriale]] [[Istituto Tecnico Industriale Statale "Alessandro Rossi"|"Alessandro Rossi"]] di Vicenza, iniziò subito ad occuparsi di [[computer|calcolatori]] presso la [[Olivetti]] di [[San Giuliano Milanese|Borgolombardo]], all'epoca tra le industrie all'avanguardia nel settore, contribuendo alla progettazione ed infine dirigendo il progetto di un piccolo computer elettronico digitale a transistori con 4 [[Prefissi per multipli binari|Ki]] × 12 bit di memoria magnetica.
 
Si laureò in [[fisica]] ''summa cum laude'' nel [[1965]] all'[[Università di Padova]] dove venne subito nominato assistente incaricato. Insegnò nel laboratorio di elettronica e continuò la ricerca sui ''flying spot scanner'', l'argomento della sua tesi. Venne quindi assunto, nel [[1967]], dalla SGS-Fairchild (oggi [[STMicroelectronics]]) ad [[Agrate Brianza]], dove sviluppò la prima tecnologia di processo per la fabbricazione di circuiti integrati MOS (Metal Oxide Semiconductor) e progettò i primi due circuiti integrati commerciali MOS.
 
La SGS-Fairchild inviò Faggin a fare un'esperienza di lavoro presso la sua consociata [[Fairchild Semiconductor]], azienda leader del settore [[semiconduttori]] a [[Palo Alto]] in [[California]]. Qui egli si dedicò allo sviluppo dell'originale MOS Silicon Gate Technology, la prima tecnologia di processo del mondo per la fabbricazione di circuiti integrati con gate auto-allineante. Progettò e produsse anche il primo circuito integrato commerciale che usasse la Silicon Gate Technology, il Fairchild 3708, un [[multiplexer]] analogico a 8 canali con ''decoding logic''. Sviluppò anche il processo di silicon gate a N-channel e lavorò a processi avanzati di CMOS e BiCMOS con silicon gate. La Silicon Gate Technology nel [[1970]] rese possibile la ''[[large scale integration]]'' (LSI) e la ''[[very large scale integration]]'' (VLSI), permettendo per la prima volta la fabbricazione di circuiti integrati MOS su larga scala, ad alta velocità e a basso costo. Questa tecnologia rese anche possibile, due anni dopo, la creazione di memorie a semiconduttori e del primo microprocessore. Oggi più del 90% di tutti i circuiti integrati prodotti nel mondo usa la silicon gate technology.
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