Differenze tra le versioni di "Fotodiodo a valanga"

Un fotodiodo a valanga è sostanzialmente un [[fotodiodo]] particolare caratterizzato solitamente da 4 strati di [[semiconduttore]] drogati asimmetricamente.
Abbiamo quindi in sequenza, queste zone:
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1)la zona ''p+'', cioè una zona molto drogata con ''<math>{N_a}</math>'' [[accettori]];
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2)la zona intrinseca di semiconduttore che come nel [[fotodio PiN]], serve a tenere quasi costante il campo elettrico, ad aumentare l'[[efficenza quantica]] e a diminuire la [[condensatore|capacità di giunzione]];
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3)la zona ''p'', una zona drogata con ''<math>{N_a}</math>'' accettori, ma in quantità inferiore alla prima;
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4)la zona ''n+'', zona caratterizzata dalla presenza di molti atomi ''<math>{N_d}</math>'' donori.
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La terza zona, o zona ''p'', rappresenta la parte fondamentale del fotodiodo a valanga, perchè permette l'effetto moltiplicativo o di guadagno delle cariche. In pratica, le cariche primarie protte nella zona intrinseca per effetto fotoconduttivo, creano un effetto a valanga che genera un numero elevato di cariche secondarie. Queste cariche secondarie quindi saranno quelle che generano la corrente prodotta dal fotodiodo.
 
Utente anonimo