SRAM: differenze tra le versioni

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[[File:Memoria SRAM.jpg|thumb|right|Memorie SRAM]]
[[File:6t-SRAM-cell.png|thumb|right|Schema di una cella di memoria a 6 transistor]]
La '''SRAM''', ([[acronimo]] di ''Static Random Access Memory'',) è un tipo di [[RAM]] volatile che non necessita di refresh[[frequenza d'aggiornamento]]. I banchi di memorie SRAM consentono di mantenere le informazioni per un tempo teoricamente infinito, hanno bassi tempi di lettura e bassi consumi, specialmente in condizioni statiche. La necessità di usare molti componenti per cella le rende però più costose delle [[DRAM]].
 
Le celle di una SRAM sono costituite da un circuito [[Retroazione|retroazionato]] formato da due [[Invertitore|invertitori logici]] le cui uscite sono collegate alle due estremità alle linee dei dati tramite due [[transistor]] detti porte di trasmissione. Le singole coppie di porte di trasmissione vengono abilitate a seconda della cella su cui deve essere effettuata la lettura o scrittura. Vengono rese disponibili sia il [[bit]] memorizzato che la sua negazione per un migliore controllo dei [[Margine di immunità ai disturbi|margini di rumore]].
Sono solitamente usate per le memorie [[CPU cache|cache]], dove elevate velocità e ridotti consumi sono caratteristiche fondamentali.
 
== Confronto tra RAM staticz e RAM dinamica ==
'''CONFRONTO SRAM E DRAM'''
{{Vedi anche|RAM dinamica}}
 
Sia le RAM statiche che quelle dinamiche sono volatili nel senso che, per conservare i valori dei bit, è necessaria un’alimentazione continua. Una cella di memoria dinamica è più semplice e più piccola di una cella di memoria statica. Dunque le [[DRAM]] sono più dense e meno costose a parità di capacità. D’altro canto le DRAM richiedono circuiti aggiuntivi per il refresh periodico. Per memorie grandi il costo di questi circuiti è più che compensato dal costo inferiore della singola cella. Dunque le DRAM tendono ad essere favorite per le memorie di grandi capacità. In sostanza le SRAM sono più veloci delle DRAM
 
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