Transistore unigiunzione

Un transistore unigiunzione (in inglese Uni-junction transistor o UJT) è un dispositivo elettronico a semiconduttore.

Transistore unigiunzione
Tipo	Attivo
Inventato da	General Electric Company (1953)
Simbolo elettrico
Configurazione pin	B2, B1 ed emettitore
Vedi: componente elettronico

Tipologie

Ce ne sono di due tipi:

• Il transistore unigiunzione originale, o UJT, che è un semplice dispositivo composto essenzialmente da una barretta di semiconduttore di tipo N in cui è stato diffusa una certa quantità di materiale di tipo P. Il 2N2646 è un esempio di tale dispositivo.

• Il transistore unigiunzione programmabile, o PUT, che è un dispositivo che ricorda il tiristore. Come il tiristore consiste di quattro strati P e N alternati e possiede un anodo ed un catodo connessi al primo e all'ultimo strato, ed un gate connesso ad uno degli strati interni. Questi dispositivi non sono direttamente interscambiabili con gli UJT convenzionali ma assolvono ad una funzione simile. Il 2N6027 è un esempio di tale dispositivo.

Entrambe le tipologie di dispositivo trovano applicazione come trigger per i tiristori e come dispositivi attivi negli oscillatori a rilassamento. La caratteristica della tensione di emettitore rispetto alla corrente di emettitore mostra una area a resistenza differenziale negativa; questo è ciò che rende interessanti e utilizzabili tali circuiti. Il transistore unigiunzione presenta un'unica giunzione e da qui deriva il nome transistor 'UNI'giunzione. Un dispositivo UJT presenta tre terminali. Tali terminali sono un emettitore (E) e due basi (B1 e B2). La base è realizzata da una sezione di silicio poco drogata di tipo n. Due contatti ohmici B1 e B2 sono collegati alle sue estremità. L'emettitore è di tipo p ed è drogato fortemente. La resistenza presente tra B1 e B2 quando l'emettitore è aperto è chiamata resistenza di interbase.

Funzionamento

Normalmente il dispositivo viene utilizzato collegando ogni base all'alimentazione tramite un resistore, B2 al positivo e B1 al negativo. In questo modo nella resistenza interbase circola una corrente che produce una caduta di tensione distribuita lungo il semiconduttore. Attraverso l'emettitore non è possibile iniettare corrente fintanto che la tensione applicata non superi quella indotta dalla corrente interbase (che dipende dalla tensione di alimentazione Vs attraverso un fattore di partizione chiamato $\eta$). Quando questo accade la resistenza tra emettitore e B1 si abbassa bruscamente. Si ha così sulle due basi un impulso, positivo per B1 e negativo per B2, ed un forte incremento della corrente di emettitore. Per costruire un oscillatore a rilassamento si procede quindi collegando all'emettitore una rete RC con resistore al positivo e condensatore verso massa. Mentre il condensatore si carica la corrente è molto bassa, ma quando l'unigiunzione commuta, il condensatore si scarica attraverso l'emettitore e viene generato l'impulso d'uscita. A questo punto il ciclo riprende.

Voci correlate

• Dispositivi a semiconduttore
• Transistor a giunzione bipolare
• Giunzione p-n
• Diodo
• Equazione del diodo ideale di Shockley
• Modello ibrido del transistor
• Amplificatore
• Effetto Early
• Mosfet
• Valvola termoionica
• Transistor ad effetto di campo a giunzione
• Transistor bipolare a gate isolato

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Collegamenti esterni

• UJT, in Dizionario delle scienze fisiche, Istituto dell'Enciclopedia Italiana, 1996.