MOSFET: differenze tra le versioni

Quando la differenza tra ''source'' e ''body'' è diversa da zero, si ha ''effetto body'' (in inglese ''body effect''). Questo contribuisce ad aumentare la [[tensione di soglia]] <math>V_{tn0}</math>. Dati i parametri tecnologici <math>\gamma</math> (fattore di effetto body) e <math>2 \phi_{F}</math> (potenziale superficiale), la tensione di soglia provvista di effetto body sarà:

LA causa dell'effetto body comporta che, l'equazione scritta per le correnti nel MOSFET sianonon è sbagliateaccurata. Infatti se supponiamo di mantenere una certa tensione che fissiamo tra il drain ed il source, la tensione nei punti del canale non è costante, ma varia man mano che ci si sposta da un potenziale all'altro (solitamente la massa per il source). Questo effetto è trascurato nella formulazione che porta all'equazione scritta sopra, che quindi già di per sèquesto motivo risulta un'approssimazioneapprossimata. AncorUna piùulteriore perapprossimazione viaderiva delldalll'aumento della tensione di soglia tale equazione risulta sbagliata. Il campo elettrico presente nel canale è dettato unicamente dalle tensioni di drain e di source, mentre la carica indotta all'interfaccia ossido-silicio dipende dalla tensione di gate. Se si considera la tensione di soglia senza effetto body si ha una carica indotta nel canale minore di quella che i calcoli vorrebbero, ossia il trascurare l'aumento della tensione di soglia comporta un errore in eccesso nella valutazione della corrente del canale. Per questa corrente dovreisarebbe poternecessario aumentare il campo elettrico, ma ciò non è possibile in quanto E dipende solo dalla tensione tra drain e source. Si ha allora una distribuzione del campo elettrico diversa da quella attesa nella approssimazione fatta, e una corrente che risulta essere minore.