Velocità di risposta: differenze tra le versioni

Il fatto che la corrente generata debba saturare è legato alla struttura dello stadio differenziale. Esso presenta due nodi di ingresso che possono essere, ad esempio, i contatti di base di una coppia di [[transistor a giunzione bipolare|transistori bipolari]] <ref>Gli amplificatori a [[Transistor#Transistor FET|FET]] risentono meno del fenomeno slew rate</ref>: quando la tensione di ingresso è sufficientemente elevata, in pratica superiore ad una tensione di accensione <math>4V_T</math>, uno dei due entra in forte conduzione e interdice l'altro che rimane quindi a "secco". A quel punto, la corrente erogata dallo stadio di ingresso viene a coincidere con il massimo valore possibile <math>I</math> (legato all'alimentazione e ai meccanismi interni di regolazione), e viene iniettata nello [[stadio di guadagno]]. Dato che quest'ultimo viene normalmente [[compensazione (elettronica)|compensato]] introducendo un condensatore <math>C</math> tra il nodo di ingresso e quello di uscita, già a frequenze non troppo elevate quasi tutta la corrente proveniente dallo stadio precedente contribuisce a caricare la capacità <ref>Come conseguenza del cosiddetto [[Effettoeffetto Miller]]</ref>, dando così in risposta una rampa di tensione con pendenza pari allo slew rate