Differenze tra le versioni di "Deposizione chimica da fase vapore del diamante"

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La [[banda proibita]] del diamante, di ampiezza pari a 5,5 [[elettronvolt]] (eV), ne fa un materiale ideale per dispositivi che devono funzionare a temperature elevate. I [[Diodo Schottky|diodi a barriera Schottky]] fatti di diamante, che sono costituiti semplicemente da una giunzione fra [[metalli]] e diamante possono, per esempio, essere operativi al di sopra di 700 [[Celsius|gradi celsius]]{{citazione necessaria|}}. Un dispositivo di questo tipo potrebbe dunque essere impiegato ad esempio nel regolatore digitale di un [[motore]] o in un sistema simile che deve funzionare in un ambiente ad alta temperatura. Gli stessi dispositivi realizzati con [[silicio]], la cui banda proibita si aggira intorno all'elettronvolt, di fatto perdono le loro caratteristiche al di sopra di 150 gradi celsius.
 
Il diamante è anche un semiconduttore relativamente insolito per la sua capacità di formare interfacce di elevata qualità con il [[biossido di silicio]]{{citazione necessaria|}}. Questo genere di interfacce costituisce l'elemento più critico dei transistoritransistor [[MOSFET]] (il tipo più comune di transistoretransistor usato nei [[calcolatori]], nei moderni [[ricetrasmettitori]] ed in altre applicazioni digitali) al silicio, sia per l'elevata difficoltà nel raggiungere i livelli di pulizia richiesti sia per l'impatto che la qualità di queste superfici ha sulle prestazioni dei sistemi in cui si trovano: è evidente quindi che anche da questo punto di vista le proprietà del diamante costituirebbero un elemento di vantaggio competitivo non indifferente. Ma la capacità di formare connessioni di alta qualità con altri materiali si estende anche ai metalli.
 
Oltre alle sue utili proprietà elettriche, il diamante ha un'intrinseca affinità elettronica negativa: gli elettroni di conduzione possono cioè sfuggire facilmente nel vuoto per [[emissione termoionica]], purché ovviamente vengano sostituiti da altri elettroni provenienti da apposita sorgente. Per ottenere le medesime caratteristiche con i metalli, si pensi che sarebbero necessarie temperature dell'ordine di {{M|1 000}} – {{M|3 000}} gradi celsius. Una volta liberati dalla superficie del diamante, questi elettroni possono essere [[accelerazione|accelerati]] da un campo elettrico, concentrati in un fascio per colpire un bersaglio, ad esempio un [[luminoforo]], la cui emissione luminosa è proporzionale alla [[corrente elettrica]] che lo raggiunge, o modulati da un segnale esterno. I cosiddetti [[catodi freddi]] a diamante potrebbero inoltre essere impiegati come piccole [[lampade]] a [[Elettroluminescenza|luminescenza]], da usare ad esempio come elementi per [[schermi piatti]], e forse anche in [[triodi]] submicrometrici che fornirebbero prestazioni di gran lunga migliori rispetto ai semiconduttori convenzionali, soprattutto negli apparati di potenza. Da questo punto di vista, le potenzialità di questo materiale potrebbero quindi portare alla sintesi di dispositivi che assomigliano più ai [[tubi a vuoto]] che ai transistoritransistor.
 
== Tecnologie realizzative ==
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