Transistor a effetto di campo: differenze tra le versioni
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== Struttura ==
[[File:N-channel JFET.JPG|thumb|right|200px|Sezione di un JFET a canale
[[File:MOSFET_schema.png|thumb|right|200px|Sezione di un MOSFET a canale p]]
Il transistor ad effetto di campo viene realizzato affiancando il terminale di gate da due regioni di silicio [[drogaggio|drogate]] in maniera opposta al substrato, che costituiscono i terminali di drain ("pozzo") e source ("sorgente").
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