Transistor a effetto di campo: differenze tra le versioni
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[[File:P45N02LD.jpg|thumb|[[MOSFET di potenza|Transistor di potenza]] a effetto di campo a canale N]]
Si tratta di un substrato di materiale [[semiconduttore]] drogato, solitamente il [[silicio]], al quale sono applicati quattro terminali: ''gate'' (porta), ''source'' (sorgente), ''drain'' (pozzo) e ''bulk'' (substrato); quest'ultimo, se presente, è generalmente connesso al source. I principio di funzionamento del transistor a effetto di campo si fonda sulla possibilità di controllare la [[conduttività elettrica]] del dispositivo, e quindi la [[corrente elettrica]] che lo attraversa, mediante la formazione di un [[campo elettrico]] al suo interno. Il processo di conduzione
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