Transistor a effetto di campo: differenze tra le versioni

Si tratta di un substrato di materiale [[semiconduttore]] drogato, solitamente il [[silicio]], al quale sono applicati quattro terminali: una ''porta'', una ''sorgente'', un ''pozzo ''ed un ''substrato''; quest'ultimo, se presente, è generalmente connesso alla sorgente e se non presente è connesso al terminale esterno della porta. Il principio di funzionamento del transistor a effetto di campo si fonda sulla possibilità di controllare la [[conduttività elettrica]] del dispositivo, e quindi la [[corrente elettrica]] che lo attraversa, mediante la formazione di un [[campo elettrico]] al suo interno. Il processo di conduzione coinvolge solo i [[portatore di carica|portatori di carica]] maggioritari, pertanto questo tipo di transistore è detto ''unipolare''.

 

 

Il transistor a effetto di campo è stato inventato da [[Julius Edgar Lilienfeld]] in 1925, ma i primi dispositivi costruiti, i [[JFET]], risalgono 1952, quando fu tecnologicamente possibile realizzarli. Il Fet più diffuso è il [[MOSFET]], realizzato da [[Dawon Kahng]] e [[Martin Atalla]] nel 1959 presso i [[Bell Laboratories]].<ref>{{cita web|url=http://www.computerhistory.org/semiconductor/timeline/1960-MOS.html|titolo=Computer History - 1960 - Metal Oxide Semiconductor (MOS) Transistor Demonstrated|accesso=4 dicembre 2010}}</ref> Insieme al [[transistor a giunzione bipolare]], il FET è il transistor più diffuso in elettronica: a differenza del BJT esso presenta il vantaggio di avere il terminale ''porta ''di controllo isolato, nel quale non passa alcuna corrente; mentre ha lo svantaggio di non essere in grado di offrire molta [[corrente elettrica|corrente]] in uscita. In genere i circuiti con transistor FET hanno infatti una alta [[impedenza]] di uscita, erogando quindi correnti molto deboli.