Transistor a effetto di campo: differenze tra le versioni
Contenuto cancellato Contenuto aggiunto
Nessun oggetto della modifica |
IvsV mosfet.svg |
||
Riga 28:
Lo strato di inversione è molto sottile e l'elevata concentrazione di elettroni è spiegata dal processo di generazione elettrone-lacune nella regione di svuotamento.
[[File:IvsV mosfet.
== Funzionamento ==
|