Transistor a effetto di campo: differenze tra le versioni

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* '''[[ISFET]]''', usato per la misura della concentrazione di [[ione|ioni]] in una [[Soluzione (chimica)|soluzione]].
* '''[[JFET]]''', acronimo di ''Junction Field-Effect Transistor'', caratterizzato dall'avere tre strati di semiconduttore con drogaggio alternato.
* '''[[MESFET]]''', acronimo di ''Metal–Semiconductor Field-Effect TransistoTransistor'', dispositivo che sostituisce alla [[giunzione p-n]] la barriera di Schottky.
* '''[[MODFET]]''', acronimo di ''Modulation-Doped Field Effect Transistor'', usa una struttura a [[buca di potenziale]].
* '''[[MOSFET]]''', acronimo di ''Metal–Oxide–Semiconductor Field-Effect Transistor'', utilizza un [[isolante elettrico|isolante]] tra ''gate ''e ''substrato''.