Transistor a effetto di campo: differenze tra le versioni
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La diversificazione dei metodi e dei materiali usati nella realizzazione del dispositivo ha portato alla distinzione di tre principali famiglie di FET: [[JFET]], [[MESFET]] e [[MOSFET]]. Il JFET, abbreviazione di ''Junction FET'', è dotato di una [[giunzione p-n]] come elettrodo rettificante; il MESFET, abbreviazione di ''Metal Semiconductor FET'', una giunzione Schottky raddrizzante metallo-semiconduttore ed il MOSFET, abbreviazione di ''Metal Oxide Semiconductor FET'', genera il campo elettrico grazie ad una struttura metallica esterna, separata dalla giunzione da uno strato di dielettrico.
Il transistor a effetto di campo è stato inventato da [[Julius Edgar Lilienfeld]] nel 1925, ma i primi dispositivi costruiti, i [[JFET]], risalgono 1952, quando fu tecnologicamente possibile realizzarli. Il Fet più diffuso è il [[MOSFET]], realizzato da [[Dawon Kahng]] e [[Martin Atalla]] nel 1959 presso i [[Bell Laboratories]].<ref>{{cita web|url=http://www.computerhistory.org/semiconductor/timeline/1960-MOS.html|titolo=Computer History - 1960 - Metal Oxide Semiconductor (MOS) Transistor Demonstrated|accesso=4 dicembre 2010}}</ref> Insieme al [[transistor a giunzione bipolare]], il FET è il transistor più diffuso in elettronica: a differenza del BJT esso presenta il vantaggio di avere il terminale ''gate ''di controllo isolato, nel quale non passa alcuna corrente; mentre ha lo svantaggio di non essere in grado di offrire molta [[corrente elettrica|corrente]] in uscita. In genere i circuiti con transistor FET hanno infatti
== Struttura ==
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{{Controllo di autorità}}
{{portale|elettrotecnica|fisica}}
[[Categoria:Transistor ad effetto di campo| ]]
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