Fotodiodo a valanga: differenze tra le versioni
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Dove x dipende dal tipo di materiale drogante presente nella zona intrinseca.
== Voci correlate =▼
* [[Pozzo quantico]]▼
==Bibliografia==
* S. Kagawa, T. Kaneda, T. Mikawa, Y. Banba, Y. Toyama, and O. Mikami, ''Fully ion-implanted p + -n germanium avalanche photodiodes'', Applied Physics Letters vol. 38, n. 6, pp. 429–431 (1981) doi:10.1063/1.92385
* Hyun, Kyung-Sook; Park, Chan-Yong; ''Breakdown characteristics in InP/InGaAs avalanche photodiode with p-i-n multiplication layer structure'', Journal of Applied Physics, vol. 81, n. 2, pp.974–984 (1997) doi:10.1063/1.364225
▲== Voci correlate ==
▲* [[Pozzo quantico]]
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