Silicio su isolante

La tecnologia silicio su isolante (SOI, "Silicon On Insulator", in inglese), si caratterizza per l'uso di un substrato di silicio-isolante-silicio, al posto del convenzionale substrato di silicio, nella produzione di semiconduttori. L'isolante utilizzato è, in genere, diossido di silicio o, in applicazioni nelle quali serva resistenza alle radiazioni, lo zaffiro[1].

Questa tecnica riduce le capacità parassite dei circuiti, riduce il rischio di latch-up nei circuiti CMOS e migliora la scalabilità dei circuiti integrati.

  1. ^ G. K. Celler e S. Cristoloveanu, Frontiers of silicon-on-insulator (PDF), in J Appl Phys, vol. 93, n. 9, 2003, p. 4955, DOI:10.1063/1.1558223.

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