Fotodiodo: differenze tra le versioni
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Come tutti i dispositivi a giunzione, anche il fotodiodo presenta delle [[capacità parassita|capacità parassite]] dovute alla presenza della giunzione stessa. Nel caso del fotodiodo, l'effetto capacitivo parassita è ulteriormente incrementato dal fatto che il dispositivo deve essere utilizzato in polarizzazione inversa, con quindi un incremento significativo della regione di svuotamento e quindi della capacità parassita.
La capacità è in genere approssimabile con la seguente equazione:<br />
:<math>{C_{dep}}={\
Dove A è la superficie delle interfacce delle aree drogate ed L è la lunghezza della zona svuotata.<br />
La capacità qui approssimata, risentirà degli effetti della resistenza di carico del rivelatore. Questa situazione farà sì che il fotodiodo avrà una frequenza di taglio propria la cui costante <math>{\tau}</math> sarà:<br />
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