Transistor a effetto di campo: differenze tra le versioni

[[File:P45N02LD.jpg|thumb|[[MOSFET di potenza|Transistor di potenza]] a effetto di campo a canale N]]

 

Si tratta di un substrato di materiale [[semiconduttore]] drogato, solitamente il [[silicio]], al quale sono applicati quattro terminali: una ''porta'', una ''sorgente'', un ''pozzo ''ed un ''substrato''; quest'ultimo, se presente, è generalmente connesso alla sorgente e se non presente è connesso al terminale esterno della porta. Il principio di funzionamento del transistor a effetto di campo si fonda sulla possibilità di controllare la [[conduttività elettrica]] del dispositivo, e quindi la [[corrente elettrica]] che lo attraversa, mediante la formazione di un [[campo elettrico]] al suo interno. Il processo di conduzione coinvolge solo i [[portatore di carica|portatori di carica]] maggioritari, pertanto questo tipo di transistore è detto ''unipolare''.