Versione delle 13:35, 25 mar 2014 modifica Lulo88 (discussione \| contributi) 25 modifiche m Ordine di grandezza della precisione di cescita da MBE. Per il grafene, si cresce 1 solo strato atomico. Per le MPc si può essere sensibili al sub-monolayer. Etichetta: Modifica visuale ← Differenza precedente		Versione delle 15:10, 18 lug 2014 modifica annulla Botcrux (discussione \| contributi) Bot 3 458 928 modifiche m Bot: fix incipit Differenza successiva →
Riga 1: ~~Per~~ L''''epitassia''' ~~si intende~~è la deposizione di sottili strati di materiale [[cristallo\|cristallino]] su un substrato massivo, anch'esso cristallino, che ne indirizza la crescita e ne determina le proprietà strutturali. Lo spessore dello strato epitassiale può variare dalla frazione di [[nanometro]] a centinaia di [[micrometro\|micron]]. L'epitassia può definirsi '''omoepitassia''' quando il materiale epitassiale è lo stesso del substrato massivo, oppure '''eteroepitassia''', quando il materiale epitassiale è chimicamente differente dal substrato. ==Tecniche epitassiali== Riga 6: ==Voci correlate== * [[Fabbricazione dei dispositivi a semiconduttore]] {{portale\|fisica}}

Epitassia: differenze tra le versioni