DRAM: differenze tra le versioni
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Durante l'operazione di lettura si vuole acquisire il valore di un bit della matrice, identificato dal suo numero di riga e di colonna. Tuttavia per ottenere la lettura di questa cella, in realtà vengono letti e riscritti tutti gli elementi della riga della matrice a cui appartiene la cella. L'operazione di riscrittura è necessaria perché durante l'operazione di lettura la carica elettrica contenuta nelle celle viene degradata; così i dati devono essere ricaricati riscrivendoli. Dai dati così ottenuti viene poi selezionato, per l'uscita, un unico bit, cioè quello relativo alla colonna della cella indirizzata. L'operazione di scrittura di una cella avviene in modo simile; l'unica differenza è che nell'operazione di riscrittura viene inviato sulla colonna della cella da modificare il valore del bit che si vuole scrivere sulla cella.
[[File:Square array of mosfet cells read.png|220px|right|thumb|Principio di funzionamento di un'operazione di lettura di una DRAM costituita da una matrice di 4 per 4 bit.]]
Ciascuna cella di una DRAM richiede un condensatore allo stato solido per memorizzare il bit di informazione e un [[MOSFET|transistore MOS]] per controllare l'accesso alla cella. Per questo motivo le celle DRAM sono più piccole e più economiche delle celle utilizzate per le RAM statiche [[SRAM]], le quali usano [[latch]] che richiedono l'uso di quattro o sei transistori MOS, due o quattro per la realizzazione di un doppio inverter logico, e altri due per controllare l'accesso alla cella.
Ciò significa che a parità di tecnologia e di anno di produzione le memorie DRAM disponibili hanno tipicamente una capacità quadrupla rispetto alle SRAM disponibili.
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