Grafene: differenze tra le versioni

Il grafene mostra delle ottime caratteristiche come conduttore, ed è oggetto di intensi programmi di studio al fine di utilizzarlo per la realizzazione di sistemi a [[semiconduttori]]. Nel [[2010]], un gruppo di ricerca della [[IBM]] è riuscito a realizzare un [[transistor]] al grafene con una frequenza di funzionamento massima di 100&nbsp;GHz e lunghezza del gate di 240 [[Nanometro|nm]]; Nel [[2011]], sempre IBM è riuscita a realizzare un transistor dello stesso materiale con una frequenza di 155&nbsp;GHz<ref>{{cita web|url=http://www.businessmagazine.it/news/ibm-sperimenta-un-transistor-in-grafene-da-155ghz_36262.html|titolo=IBM sperimenta un transistor in grafene da 155GHz|data=11 aprile 2011|editore=Business Magazine}}</ref> e lunghezza del gate di 40 [[Nanometro|nm]]. Sempre nel 2010, all’[[UCLA]], un altro test con il grafene ha toccato il record di velocità di un transistor raggiungendo i 300&nbsp;GHz. Analoghi transistor realizzati con tecnologie all'[[arseniuro di gallio]] hanno una frequenza massima di 40&nbsp;GHz.<ref>{{cita web|url=http://www.hwupgrade.it/news/cpu/ibm-dimostrazione-di-un-transistor-in-grafene-da-100ghz_31539.html|titolo=IBM: dimostrazione di un transistor in grafene da 100GHz|data=8 febbraio 2010|accesso=9 febbraio 2010|editore=Hardware Upgrade}}</ref>.Recentemente l'università di Manchester sta sviluppando applicazioni di questo materiale per la realizzazione di condom ultra resistenti ma allo stesso tempo di spessore minimo e molto sensibili avendo ricevuto un finanziamento dalla Gates Foundation per tale progetto.