Banda di conduzione: differenze tra le versioni

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[[File:Struttura elettronica a bande-Metallo Semiconduttore Isalante-.png|thumb|upright=1.6| Schema semplificato della struttura elettronica a bande per metalli, semiconduttori e isolanti.]]
 
Si definisce '''banda di conduzione''' la [[Struttura elettronica a bande|banda elettronica]] a più bassa [[energia]] tra quelle non completamente occupate. Dal punto di vista della [[teoria degli orbitali molecolari]], si può dire che la banda di conduzione è il LUMO (''Lowest Unoccupied Molecular Orbital'', orbitale molecolare non occupato a più bassa energia). Per un [[Conduttore elettrico|conduttore]], la [[banda di valenza]] (cioè quella totalmente occupata) e quella di conduzione si sovrappongono. Nel caso di [[semiconduttori]], il [[gap energetico|''gap'' energetico]] è basso e pertanto la [[conduzione]] può avvenire una volta fornito un certo [[potenziale]]. Negli [[isolanti]], la [[differenza di potenziale]] è troppo alta (il valore limite viene di solito posto a E > 1,5 [[elettronvolt|eV]]).
 
Per un [[Conduttore elettrico|conduttore]], la [[banda di valenza]] (cioè quella totalmente occupata) e quella di conduzione si sovrappongono. Nel caso di [[semiconduttori]], il [[gap energetico|''gap'' energetico]] è basso e pertanto la [[conduzione]] può avvenire una volta fornito un certo [[potenziale]]. Negli [[isolanti]], la [[differenza di potenziale]] è troppo alta (il valore limite viene di solito posto a E > 1,5 [[elettronvolt|eV]]).
 
Nei conduttori estrinseci, il gap energetico viene abbassato artificialmente attraverso il [[drogaggio]], che genera bande di valenza supplementari a più alta energia (drogaggio n) o bande di conduzione a più bassa energia (drogaggio p).
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