Epitassia: differenze tra le versioni
Contenuto cancellato Contenuto aggiunto
m Bot: voce senza uscita |
Ripristinata la Versione del 18 lug 2014 alle 15:10 di Botcrux |
||
Riga 1:
L''''epitassia''' è la deposizione di sottili strati di materiale [[cristallo|cristallino]] su un substrato massivo, anch'esso cristallino, che ne indirizza la crescita e ne determina le proprietà strutturali. Lo spessore dello strato epitassiale può variare dalla frazione di [[nanometro]] a centinaia di [[micrometro|micron]]. L'epitassia può definirsi '''omoepitassia''' quando il materiale epitassiale è lo stesso del substrato massivo, oppure '''eteroepitassia''', quando il materiale epitassiale è chimicamente differente dal substrato.
==Tecniche epitassiali==
Le tecniche epitassiali sono molte. Tra le più comuni, l'epitassia da fase liquida (LPE, dall'inglese ''Liquid Phase Epitaxy'') permette di crescere strati epitassiali molto spessi, mentre l'[[epitassia da fasci molecolari]] (MBE, dall'inglese ''Molecular Beam Epitaxy'') e la deposizione di vapori chimici con precursori metallorganici ([[MOCVD]], dall'inglese ''Metal-Organic Chemical Vapour Deposition'') permettono un controllo dello spessore dei materiali dell'ordine del singolo strato atomico e sono adatte a crescere spessori estremamente sottili, che per il singolo strato atomico (ML, dall'inglese ''monolayer'') è di qualche [[Angstrom]].
==Voci correlate==
* [[Fabbricazione dei dispositivi a semiconduttore]]
{{portale|fisica}}
[[Categoria:Semiconduttori]]
| |||